在半导体技术领域,IBM创造了无数个奇迹。它是第一个使用铜互连、第一个使用低K值介电物质、第一个使用SOI等技术的公司,也是硅锗工艺的首创者之一,制造出世界上第一块炭纳米晶体管……IBM在S/360计算机上采用大规模集成电路,也预示着集成电路向通用计算机转型的开始。
在最近10年中,IBM在半导体领域打破了摩尔定律的速度限制。取得了半导体技术的多个创新:
铜介质
半导体业界一直有梦想能使用铜作为介质,这样可以获得比铝好 40% 以上的电流传输效率。但是直到最近制造流程才实现了这个目标。让我们从 Edison 的笔记本中翻出一页:IBM 的研究人员使用钨来生产基于铜的芯片,其速度比铝快 25 倍到 30倍。科技界采用了这种技术,通常称之为CMOS XS (其中X代表数字)。
low-k 绝缘体
这种技术使用 SiLK 来防止铜线“串扰”,SiLK 是来自Dow Chemical的一种商业材料。
硅锗合金(SiGe)
在二极管芯片制造中用来代替功耗更高的砷化镓,SiGe 可以显著地改善操作频率、电流、噪音和电源容量。
绝缘硅(SoI)
在硅表面之间放上很薄的一层绝缘体,可以防止晶体管的“电子效应”,这样可以实现更高的性能和更低的功耗。
应变硅
这种技术对硅进行拉伸,从而加速电子在芯片内的流动,不用进行小型化就可以提高性能和降低功耗。如果与绝缘硅技术一起使用,应变硅技术可以更大程度地提高性能并降低功耗。
IBM推出的POWER系列架构处理器,也再次将半导体技术推向了一个新高潮。IBM的主流技术是蓝色逻辑系列的130纳米8SF技术,这也就是用来制造PowerPC和Power4芯片的技术,在这里包含了几乎所有IBM开发的技术。其中最先进的是IBM的蓝色逻辑Cu-08技术,可以做出包含7200万个晶体管(门宽度为70纳米)的处理器。