先进的High－K绝缘材料使效能提高

　　晶体管发热和电流漏电现象是阻碍晶体管变小的一个重要原因，因此，新一代Penryn处理器家族将采用全新材料制作的45nm晶体管绝缘层(insulating wall)和开关闸极 (switching gate)，减低晶体管漏电(electrical leakage)情况。

　　为能达到大幅降低漏电情形且可同时提升效能目标，Intel采用被称为High-k的新材料制作晶体管闸极电介质(transistor gate dielectric)，而晶体管闸极的电极 (transistor gate electrode)也将搭配采用全新金属材料组合，增加驱动电流20%以上，不仅提升晶体管效能，同时源极 - 汲极 (source-drain) 漏电也可减少逾5倍，明显改善晶体管耗电量。

　
英特尔High-K技术示意图

　　据了解，由于二氧化硅具有易制性 (manufacturability)，且能减少厚度以持续改善晶体管效能，因此过去40余年来，业者主要均采用二氧化硅做为制作闸极电介质的材料。

　　虽然Intel于导入65纳米制程时，已全力将二氧化硅闸极电介质厚度降低至1.2纳米，相当于5层原子，但由于晶体管缩至原子大小的尺寸时，耗电和散热亦会同时增加，产生电流浪费和不必要的热能，因此若继续采用目前材料，进一步减少厚度，闸极电介质的漏电情况势将会明显攀升，令缩小晶体管技术遭遇极限。

　　为解决此关键问题，Intel正规划改用较厚的High-k材料(铪hafnium元素为基础的物质）作为闸极电介质，取代沿用至今已超过40年的二氧化硅，此举也成功令漏电量降低10倍以上。

　　由于High-k闸极电介质和现有硅闸极并不兼容，Intel全新45纳米晶体管设计也必须开发新金属闸极材料，目前新金属的细节仍属商业机密，Intel现阶段尚未说明其金属材料的组合。

　　另与上一代技术相较，Intel的45奈制程令晶体管密度提升近2倍，得以增加处理器的晶体管总数或缩小处理器体积，令产品较对手更具竞争力，此外，晶体管开关动作所需电力更低，耗电量减少近30%，内部连接线 (interconnects) 采用铜线搭配 low-k电介质，顺利提升效能并降低耗电量，开关动作速度约加快 20%。

　　值得注意的是，Intel成功令新一代 45 纳米制程产品的漏电情况降低逾5倍，其中晶体管闸极氧化物漏电量更降低超过10倍，相较上代65纳米制程产品，在同一功耗表现下，频率下可提升约20%，或是在同一频率下功耗更低，电池续航力也明显大幅提升。

　　另一方面，Intel使用创新设计法则和先进光罩技术，将193纳米干式微影技术 (dry lithography) 延伸应用在45纳米处理器上，全力发挥成本优势和高易制性。