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近几年来,铅污染现象越来越严重,由于铅具备适当的电气和机械特性,因此广泛应用在电子零组件等产品中。在欧洲已经针对这种情况制定出Rosh标准,符合这一标准的产品才可以在欧洲地区销售。
在英特尔方面,他们也在全力寻找能满足效能和可靠性需求的铅替代材料,自2002年开始,Intel推出了第一个采无铅方式制造的无铅闪存产品,自2004年起,英特尔出货产品含铅量已较前一代微处理器和芯片组封装大幅减少95%。
新一代45nm制程处理器将采用无铅设计,在今后Intel处理器产品中将全部采用100%无铅设计,以适应全球环境发展问题。其中,包括PGA、BGA和LGA等方式,Intel已确定45nmHi-k技术均将100%使用无铅设计,另外2008年采用65nm制程生产的芯片组产品亦会全面改采100%无铅技术。
处理器封装都需要焊接,内部连接点(interconnect)第一层内之5% (约 0.02公克)的含铅焊锡(lead solder),焊点用来连接硅晶粒和封装基板,英特尔将以锡、银、铜合金 (tin/silver/copper alloy) 取代以铅/锡为主的焊锡。由于 Intel 先进硅晶技术含有复杂的连接结构,必须投入大量的工程资源,才能使 Intel 处理器封装完全不使用铅,并推动整合新的焊锡合金系统。
现在,Intel 计划以3座晶圆厂生产45nm产品,位于美国奥勒岗洲 (Oregon, USA)的D1D晶圆厂及美国亚利桑那洲 (Arizona, USA)的Fab32晶圆厂,将率先于2007年下半年导入45nm制程,而以色列(Israel)的Fab 28则预定于2008年上半年投入45nm生产行列。
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