控制器技术
闪存控制器芯片管理存储在闪存中的数据并与所连接的设备进行通信。
闪存控制器芯片管理存储在闪存中的数据,并与所连接的设备进行通信。目前的闪存控制器技术的提高非常迅速。这意味着,我们可以通过控制器技术的提升,来使得存储成本的下降。
换句话说,改进的控制器技术多于抵消MLC的速度和耐用性,这意味着,MLC可能具有比昨天SLC更好的性能和耐久性。
3D闪存技术
3D闪存技术是指32层柱状细胞结构,可以垂直堆叠更多个存储单元,从而提高密度,降低碳足迹,同时还能可提供两倍于传统20nm平面NAND闪存的密度和写入速度。
3D闪存技术
因为3D闪存技术允许有更多的细胞堆叠在给定的表面积,这样总容量将比实际可以使用的容量要大很多。
随着3D晶体管技术的出现,闪存颗粒技术将出现重大的突破。三星、东芝、海力士、SanDisk、美光等闪存颗粒厂商目前都公布了3D闪存技术,三星更是于近期推出了采用3D闪存技术的产品——三星850 PRO系列固态硬盘。另外,东芝也表示将会于2015上推出采用3D技术的产品。虽然,各闪存颗粒厂商的3D技术各不相同,但原理大都一样。
这三种技术将在未来帮助闪存存储的空间变的更大,价格也将变的越来越低,值得我们关注。
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