英特尔是业界鼎鼎大名的半导体公司，也是第一家推出x86架构处理器的公司。但是最近几年它的发展好像也有些不如人意。特别是在移动领域，ARM的进击抢占了大部分的移动份额。
为了应对困境，Intel现在似乎又想把鸡蛋放到不同篮子里，有点重操旧业的架势，Haswell处理器中有部分集成了多达128MB eDRAM嵌入式缓存，既能辅助核显，也能作为系统四级缓存。
IBM 32nm Power7+里集成的eDRAM（图片来自chipworks）
IBM已经使用eDRAM很多年了，45nm时代后更是成为Power处理器的标配，现在已经进入了22nm，但尚未有实际产品问世。
台积电65nm eDRAM(图片来自chipworks)
电容部分顶视图(图片来自chipworks)
台积电、瑞萨(NEC)也在为游戏机打造的芯片里使用eDRAM，比如微软Xbox、任天堂Wii，都是更传统的DRAM堆栈加玻璃杯形电容。
不同的是，台积电采用了CUB(cell-under-bit)堆栈，位线(bitline)在电容之上，瑞萨则是反过来的COB(cell-over-bit)。
电容阵列的边缘(图片来自chipworks)
Intel表示，每一个单元单荣的容量是13fF，面积0.029平方微米，大致相当于其22nm SRAM单元面积(0.09平方微米)的三分之一，略大于IBM同类的0.026平方微米。
晶体管(图片来自chipworks)
任天堂Wii GPU(图片来自chipworks)
下一代Knights Landing Xeon Phi高性能计算处理器倒是会搭配16GB eDRAM，等于128颗Haswell所用芯片，因此未来的主攻方向应该还是游戏、高性能计算。
与它相关的资料正在陆续披露，ISSCC大会上又进一步公开了更深入的细节。
