Intel重操旧业：采用eDRAM嵌入式缓存

    英特尔是业界鼎鼎大名的半导体公司，也是第一家推出x86架构处理器的公司。但是最近几年它的发展好像也有些不如人意。特别是在移动领域，ARM的进击抢占了大部分的移动份额。

    为了应对困境，Intel现在似乎又想把鸡蛋放到不同篮子里，有点重操旧业的架势，Haswell处理器中有部分集成了多达128MB eDRAM嵌入式缓存，既能辅助核显，也能作为系统四级缓存。

IBM 32nm Power7+里集成的eDRAM（图片来自chipworks）

    IBM已经使用eDRAM很多年了，45nm时代后更是成为Power处理器的标配，现在已经进入了22nm，但尚未有实际产品问世。

台积电65nm eDRAM(图片来自chipworks)

电容部分顶视图(图片来自chipworks)

    台积电、瑞萨(NEC)也在为游戏机打造的芯片里使用eDRAM，比如微软Xbox、任天堂Wii，都是更传统的DRAM堆栈加玻璃杯形电容。

    不同的是，台积电采用了CUB(cell-under-bit)堆栈，位线(bitline)在电容之上，瑞萨则是反过来的COB(cell-over-bit)。