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Hapertown四核Xeon 5400系列

强“芯”之路—英特尔至强发展历程(二)

CBSi中国·ZOL 作者:中关村在线 张桂林 【原创】 2009年03月14日 06:00 评论
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Hapertown四核Xeon 5400系列

    2007年11月16日,英特尔公司发布了采用高K金属栅技术的全新45纳米至强5400系列处理器,新的材料使处理器上的晶体管制程工艺冲破极限,解决了漏电和功耗问题,这也意味着英特尔的摩尔定律也许会再延长十年。


强“芯”之路—英特尔至强发展历程(二)
四核Xeon 5400系列

    45纳米四核至强是英特尔历史上里程碑式的产品,一片晶圆上的晶体管数量从5.8亿个上升到8.2亿个,先进的制程工艺让晶体管密度提升近一倍,可以进一步的提升频率,或者降低芯片面积。高K金属栅技术也让晶体管开关动作所需电力更低,耗电量减少近30%。相较上代65纳米制程产品,在同一功耗表现下,45纳米工艺让处理器频率可提升约20%,或者也可以说在同一频率下功耗更低。

强“芯”之路—英特尔至强发展历程(二)
45nm双路至强处理器规格

    Xeon 5400代号“Hapertown”,系列包含17款处理器,从2.0GHz的Xeon 5405到主频3.2Ghz的Xeon 5482,其中包括3款低电压版本。从上面的表格可以看到,Xeon 5400系列至强二级缓存相对上一代的四核Xeon 5300系列有了进一步的提升,从8MB增加到12M。Hapertown依旧采用了双独立总线设计,前端总线为1333Mhz或者1600MHz,总线带宽高达25Gbps左右。从功耗上来看,高端的Hapertown功耗达到120w或150w,其余为80w,并不高于65纳米处理器,但是提供了前所未有的每瓦特性能。45纳米至强5400处理器也是英特尔首次采用无铅材料的产品,更加绿色环保,也会对芯片产业的发展起到非常大的推动作用。

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