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Xeon LV低电压至强

强“芯”之路—英特尔至强发展历程(二)

CBSi中国·ZOL 作者:中关村在线 张桂林 【原创】 2009年03月14日 06:00 评论
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Xeon LV低电压至强

    虽然 Paxville MP和Paxville DP都采用了双核心设计,但是这种将两个核心集成到一个芯片中的技术没有太多的创新之处,并且均采用流水线冗长的NetBurst架构,高功耗高热量高流水线的弊病让这两款服务器在市场上并没有表现出优势。

    2006年3月,英特尔在高端处理器上的思路有了转移,推出了一款基于移动双核处理器改造而来的双路至强“Sossaman”,这种双核芯片的名称为Xeon LV,它的功率只为其他Xeon芯片的1/5-1/3,最大功率为31瓦。


强“芯”之路—英特尔至强发展历程(二)
Sossaman低功耗至强处理器

    Xeon LV处理器是英特尔Core微构架在Xeon系列处理器上的初次尝试,包含主频2.0GHz和1.66GHz的两个型号,前端总线为667MHz,共享2MB二级缓存,这也是英特尔首款共享二级缓存的双核处理器。由于Sossaman是由移动处理器改造而来,所以不具备超线程和EM64T技术,但是支持SpeedStep功耗调节技术,可根据负载而调节工作电压,节省电能。低电压并没有让Sossaman的性能表现不佳,据测试,2.0GHz主频的Sossaman至强性能可以和3.0Ghz的Xeon DP处理器相当。可以说Sossaman是英特尔至强处理器历史上一款成功的产品

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