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Dempsey核心Xeon 5000系列

强“芯”之路—英特尔至强发展历程(二)

CBSi中国·ZOL 作者:中关村在线 张桂林 【原创】 2009年03月14日 06:00 评论
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Dempsey核心Xeon 5000系列

    随着英特尔芯片制程工艺进步到65纳米,2006年5月23日,英特尔发布了采用65纳米工艺的“Dempsey”双核至强处理器,面向双路服务器工作站市场。虽然2006年更为先进的Core微构架已经出现,但Dempsey仍然采用了Netburst构架,是英特尔最后一代采用Netburst微构架的至强处理器。


强“芯”之路—英特尔至强发展历程(二)
Dempsey双核至强处理器

    Dempsey采用了新的命名方式,称之为Xeon 5000系列,是第一个采用65纳米工艺的双核至强处理器系列。Dempsey不再采用Socket604封装,而采用LGA771封装。Dempsey共有5个型号,编号从Xeon 5030到5080,频率从2.67至3.73,前端总线有667MHz和1066MHz两种,每个核心集成2MB二级缓存。

强“芯”之路—英特尔至强发展历程(二)
Xeon 5000系列处理器规格

    虽然从规格上来看Dempsey和上一代的Paxville DP双核至强相比,频率并不突出,二级缓存也相同,但是Dempsey采用了双独立总线设计,前端总线提升到了1066Mhz,总带宽达最高达到了17Gbps,远远超出了上代的6.4Gbps,获得更高的数据传输速度。不过从功耗上来看,虽然工艺进步到了65纳米,但是由于Netburst架构的局限性,Dempsey至强功耗最高还是达到了130w。

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