作为半导体领域的“老司机”，比利时微电子研究中心（IMEC）虽然名气不大，但却比Intel、台积电、三星还要早就能接触到ASML光刻机新品。因为，每次ASML推出新一代光刻机后，都要先拿到IMEC去“试车”。
近日，IMEC首席执行官Luc Van den hove表示，当前的EUV光刻设备其实可以响应到2nm的微缩水平，不过要想突破2nm瓶颈，则必须要靠下一代高NA EUV光刻机。他督促ASML在未来3年内，全力投产高NA光刻机。
高NA也就是光刻机的透镜和反射镜数值孔径达到0.55，从而增加光刻分辨率，为制备更精密的为电路图像创造可能。而当前的EUV光刻机均在0.33的水平。
据了解，不出意外的话，ASML将在明年推出其首款高NA EUV光刻机，Intel、三星和台积电都争相第一时间部署进厂，其中Intel已冲在最前面。
如此高科技的产品价格自然不菲——高达4亿美元（约合26亿元人民币），其体积也是不小，是一个重量超过200吨的庞然大物。
本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：突破2nm瓶颈！ASML明年将推出新一代光刻机http://server.zol.com.cn/799/7990534.html
