早在08年，IBM就在开发一种新的内存技术，取名为“赛道内存”，利用磁性纳米管中的原子来存储信息，且读写速度比闪存快10万倍，比硬盘更快速，更可靠。尽管该项技术具有里程碑的意义，IBM赛道内存(Racetrack)在性能上有很强表现，但至今该技术却一直没走出IBM的实验室。
“赛道内存”这种新内存技术的命名发布，是由IBM院士Stuart Parkin博士，同时也是IBM-史丹佛大学自旋电子科学与应用中心总监自2002年就开始研发。08年已经成功开发出3位版本的赛道内存，这项研究达6年之久的Racetrack新技术，旨在取代IBM发明的硬盘。第一颗采用90纳米CMOS制程的整合式赛道内存原型诞生于2012年，能执行读/写与移动磁畴的功能。
赛道内存技术（图片来源IBM，以下同）
在Racetrack存储技术中，通过一系列的Magnetic Domain-Wall（磁畴壁）的电子自旋方向，磁畴壁是一群自旋方向相同的电子的集合，图中有4个磁畴壁，其中上面的两个和下面左边一个的电子自旋方向相同，而最后一个磁畴壁的电子自旋方向则相反。
随着一个在赛道内存中移动磁性信息的全新机制被开发能把磁畴壁做得更小，甚至可小50倍，因此内存内的磁畴壁能被紧密组合在一起，在相同的电流下移动速度更高。相比如今的主流存储，在容量、成本和性能多方面都有着优势，IBM更是在08年宣称这项存储的更新在10年内完成。
尽管硬盘驱动器的低成本极具吸引力，但由于此类设备固有的低速度，以及采用运动部件，因此存在着机械可靠性问题，而闪存技术还未发现这类问题。然而，闪存虽然读取数据速度很快，但写入数据速度慢，并且寿命有限使得面临一定考验。
而IBM赛道内存没有运动部件，并且不是存储全部的电子电荷，而是利用电子的“旋转”来存储数据，因此并不产生磨损的器件，理论上可以无数次地重写而无损耗。
