帕特·基辛格演讲2

    通过High-K技术不仅仅是使晶体管的尺寸变小了，而且它的切换速度能够提高一倍。如果没有High-K的技术，门栅漏电的数量是没有办法减少的，甚至会增加。我们的这些层是越来越比如说在65纳米的时候，5、6、7个原子之间的距离，有了High-K的门栅之后，我们就可以进一步减小它的距离，而且在漏电方面可以减少差不多100倍的样子。这样改进如果没有发现铪材料是不可能实现的。这是我们对于晶体管材料技术在50年前半导体材料发明以来最大的一个突破，这是非常难以置信的，对于Intel来说是难以置信的突破，对于业界来说也是如此，可以说我们把这项技术进一步带向了未来。

英特尔高级副总裁兼数字企业事业部总经理帕特·基辛格

    为了应对新的趋势我们需要很大资本的投资，这些工厂非常大，非常昂贵，每个工厂可能要花费30亿美元的投资，在明年年底我们将建成四个这样的工厂，每个工厂都有100万平方尺，相当于14个足球场。大家可以想象一下工厂中会有什么东西呢？每一个都有10级超经的车间，10平方才有10个微粒，一立方米一般来讲都有10万个微粒，你们如果去了医院，可能一般来讲是一立方米有一万个微粒，在那些工厂里，实际上现在的工程技术它的一个奇迹，不管是各个方面，还是从尺寸还是结晶程度都是如此。45纳米技术的生产量会越来越大。现在我们有这样的制程技术作为我们的基础，这样才能延续Tick—Tock的开发模式，Tick-Tock指的就是我们的产品用新的 …每一年都会有一次TICK，第二年是tOck…我们能够完全按照这样的节奏和方法推广我们的产品。Pernyn实际上属于Tick的行列，它是我们第一个45纳米技术的产品。

    我们仔细看一下Pernyn系列产品到底是什么样子的。今天我非常高兴，因为我们提供了12核的赛扬系列的产品，它的前端总线非常高达到12M，而且内部的缓存达到了12M字节，这是非常高的，以前很难想象，可能整个CPU的内存也不会有这么高。我们前端总线也有所增长，现在前端总线和缓存都大为提高了，还有我们的酷睿II架构中前端总线也达到了300多，所以看到，今天我们在这些方面都取得了很大成就。但是由于出现了45纳米的技术，在2008年的时候还可以推出更新、更高的45纳米，以45纳米为基础的一些产品系列，这在未来几年会陆续推出。

    45纳米技术可以让我们在每一个小的晶片上有更多的晶体管，而且有更大的缓存，不断把这些晶体管放在芯片上，而且让晶体管的尺寸变得更小。而且我们的TDP也会有所降低。

    现在我给大家看一下，这是我们的一个晶片。这个晶片是很大的，而且密集度非常高，这是我们硅制程技术进步的结果。这确实是技术上的一个奇迹。而结果也会是能够提供一些非常令人难以置信的产品的出现。

    Pernyn系列不只是有新的制程技术上的改善，其实还有一系列架构方面的改进。我们来看一下，其中一个特别令人注意的，就是我们称之为SSE4指令集方面的改进，还有一些程序，如果单序程序，对于单应用程序就可以有很多的改进，还有高性能的媒体增强技术等等很多，我们一会儿给大家做几个演示，我们还在虚拟化方面进行了改进，还有更高速的前端总线，还有其他的能量管理方面、能耗管理方面也有很大的进展，在这样的平台上我们可以有更低的能耗。

现在我们看到这些芯片本身就可以降低能耗。比如说我们的能耗管理就是这样，如果机器处于待机状态就可以节省更多的能耗。我们现在看一下一些基准，至强5400，这是至强最高的处理器，有着最高的性能，我们把它和其他产品比如说1.6MHz的产品进行一下对比，性能有了大量的改进，改进了18%-21%，这当然要看看其基线是什么样的，但是总的来说性能有所改进。在5400产品中技术有所改进。 除了这些指令方面的改进，我们还有一些虚拟化方面实现了巨大的改善，虚拟化是一种全新的，非常震撼人的能力，我们正在改进当中。