2007年3月20日中关村在线北京报道:今天,在北京丽晶酒店英特尔(中国)有限公司举办的“多核时代 共赢未来”为主题的2007年多核应用论坛上,英特尔公司宣布将率先在其45纳米处理器中应用创新的晶体管材料,以替代此前已经使用了30多年的原有技术,再次巩固其在芯片创新领域的领导地位。
英特尔方面表示,在45纳米晶体管中创造性地采用全新的高-k栅介质和金属栅极材料,极大地减少了晶体管漏电量,同时提高处理器性能。
采用全新的45纳米制成技术后,在同样大小的面积内可容纳的晶体管数量将达到先前的近两倍,晶体管的切换速度可提升超过20%,而晶体管的漏电流降低5倍之多。英特尔已向世人展示了这些45纳米处理器的早期版本(代号为“Penryn”)。英特尔方面表示,基于Penryn架构的“至强”服务器处理器将于2007年第四季度推出。
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