无论是在商业领域还是IT领域，利用强强联合，来实现1+1大于2理想效果是很多厂商采用的方式，但真正实现起来并不如想像中那么轻而易举。近日，英特尔公司和镁光科技股份有限公司宣布在闪存方面合作，这两个巨头的合作将很可能带来闪存领域的新一轮革命，推动闪存产业的快速发展。
众所周知，闪存是目前在最轻便的笔记本电脑、最快速的数据中心以及几乎所有手机、平板电脑和移动设备中经常被使用到的存储技术，但由于发展时间较短，且不同厂商产品技术不尽相同，所以造成闪存市场的产品参差不齐，使得闪存的整个市场非常混乱。
英特尔与镁光联合开发全新3D NAND
日前，英特尔与镁光联合开发全新3D NAND技术，采用垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。利用该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。三倍的存储设备，让更小的空间内可以容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约与能耗降低。
当前以平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展的极限，给半导体存储器行业带来严峻挑战。摩尔定律描绘了持续性能提升与成本降低的发展轨迹。而通过保持摩尔定律与闪存存储解决方案的一致性，3D NAND技术将有望对闪存存储解决方案产生重大影响，从而让闪存存储的存储容量、价格等更加趋于合理，在不用领域得到更广泛的应用。
镁光科技的内存技术与解决方案部门副总裁Brian Shirley表示："通过镁光与英特尔的通力协作，双方共同打造出了业界领先的固态存储技术，通过该技术能够提供当今其他闪存技术难以匹敌的更高密度、性能和效率，这一3D NAND技术拥有彻底改变整个闪存市场格局的巨大潜力"
3D NAND
闪存拥有的众多的市场，从智能手机到针对闪存优化的超级计算机，我们所看到的闪存所产生的影响还仅仅是冰山一角英特尔公司高级副总裁兼非易失性存储解决方案事业部总经理 Rob Crooke 表示："最新的3D NAND技术再次彰显了我们的这一坚定承诺，该项技术创新可显著改善密度与成本问题，并将显著加快固态存储在计算平台中的应用。"
