可以概括起来，Intel SSD DC S3500企业级固态硬盘有两个很鲜明的特点：20nm MLC芯片、Intel第三代主控，此外，还有一个不算非常突出的：完整的保护功能。它们对了解SSD DC S3500的特性表现非常重要，接下来我们将对它们进行分别介绍。
20nm MLC芯片：针对非写入密集应用
Intel SSD DC S3500上面使用的20nm MLC NAND颗粒，型号Intel 29F32B08MCMF2-ES（来源：ZDnet,下同）
首先是使用20nm MLC芯片，这很好理解，和前面说过的类似：由于采用了它导致了耐久度的降低（特别低，S3500采用的是普通的MLC而不是Intel的HET MLC），P/E周期大约为3000次；20nm MLC的优点则是新的工艺带来功耗和成本下降，因此我们可以看到，同等容量DC S3500要比DC S3700便宜不少。作为对比，根据JESD218耐久度规范，800GB的S3700，耐久度为14.6PB，800GB的S3500只有450TB，300GB的SSD 710耐久度也能达到1PB。显而易见，S3500并非面向高强度写入应用。
Intel第三代主控：解决延迟问题
而在明白Intel的新主控带来的变化之前，我们得先复习一下SSD的存储原理。我们都知道，和HDD天生的不同，SSD的读写单位为页（Page），页的一般大小为4KiB或8KiB；HDD的读写单位为扇区（Sector），一般大小为512B或者4KiB。而在擦除NAND的时候，则使用块（Block）为单位，一个块一般包含着128或256个Pages；HDD则没有这个概念。对于Intel的25nm NAND来说，一次擦除就是2MiB（8KiB每页）。
OK，这就是在处理上SSD和HDD的根本不同，由此衍生出一大堆不同的性能差异来。通常，为了保持上层操作系统/文件系统的一致性，SSD通过主控来隐藏了这个不同处理过程的区别，这个工作引入的就是FTL（Flash Translation Layer，闪存转换层），FTL将操作系统熟悉的LBA（Logical Block Address，逻辑块地址）转换到SSD的PBA（Physical Block Address，物理块地址）。LBA到PBA显然是一张映射表，在HDD上，它是1:1对应关系，除了缺陷管理之外不会变更，而在SSD上，由于磨损平衡的关系，同一个LBA对应的PBA并不是固定不变的，因此，这个映射表是动态变化的。显然，FTL的转换性能影响着SSD的性能，这也是我们关注SSD主控的原因之一。
按查找方式划分的数据结构。FTL就是在一个数据结构中进行查找或其它操作以维持一个LBA到PBA的映射关系
FTL维护着动态变化的映射关系，这个映射关系通常是用一个叫B-tree的数据结构来保存，这个数据结构保存在SSD上面，但是通常会让FTL主控保存在一个Cache当中，以加快处理速度。注意B-tree的B是Balance，而不是Binary，前者是平衡多叉树，后者是二叉树。区别在于，前者不限制二个分叉，因此，B-tree树的高度通常比后者的要低，操作效率更高。
B-tree示例，可以看出，B-tree是一个有序集合，查询从树根开始一直到某一结点；通过B-tree，FTL可以以最低O(log2N)的效率进行LBA到PBA的映射查找
B-tree的如B+-tree、B*-tree、FD-tree等等的改进型广泛应用于存储相关的部件当中，如在文件系统中的应用就非常多。类B-tree的一个重要的问题就是其查找性能良好，然而其分裂、插入结点的操作相对缓慢。在FTL进行读取操作时需要的就是对B-tree进行查找，而写入则需要进行分裂、插入；对SSD连续的写入可以让一个结点包含一大块地址来解决，而随机写入则只能让B-tree变大，这会带来很明显的延迟，因此SSD的随机写入性能通常都比读取要慢。
第一代Intel SSD主控：PC29AS21AA0，来自Intel SSD X25-E，Cache为16MiB DRAM
第二代Intel SSD主控：PC29AS21BA0，来自Intel SSD 710，Cache容量为64MiB DRAM
这个B-tree——映射表通常保存在Cache当中（再一次：这点跟CPU当中的TLB很像），在Intel的第一第二代上，搭配了一个容量相对较小的Cache，分别为16MiB和64MiB，Intel引以为豪的是这个Cache完全不保存用户数据，仅保存映射表，因此掉电保护只需要很小的电容就能达到。和其它SSD相对较小的Cache是Intel SSD的一个特点，不过这带来了一个问题：映射表不能完全载入Cache当中，并且，映射表也需要不停地对进行压缩、重平衡，这带来了进一步的延迟。
4KiB随机读取延迟对比：低队列深度下，SSD 710的延迟较低，然而随着队列深度增加，其延迟增长比SSD 520明显要快；SF2281主控内置SRAM，容量不明
4KiB随机写入延迟对比：在1队列深度下，SSD 710的延迟是SSD 520的1.55倍，在256下飙升到10.7倍；测试基于非对齐的重复数据，因此SF2281可以启动其硬件压缩引擎
按照映射表在DRAM Cache中缓冲多寡来分的话，SSD可以分为DRAM完全缓冲、DRAM部分缓冲、DRAM完全不缓冲型，还有一种主机内存完全缓冲型（映射表保存在系统内存中，由驱动维护）。显然，Intel PC29AS21AA0和Intel PC29AS21BA0属于DRAM部分缓冲型，而SandForce SF2281则属于DRAM完全不缓冲型——不过SF2281内置SRAM进行了部分缓冲，两种方案可以看做有些相似。在上面的对比中我们可以看到，Intel的第二代主控延迟表现不甚理想，特别是4KiB随机写入，比SF2281要慢很多。需要说明的是，背后的因素有些复杂，在我们的例子当中，使用的测试数据是重复数据，因此在SF2281硬件压缩引擎的作用下，可以有充分的带宽去读取Flash芯片上的映射表。
第三代Intel SSD主控：PC29AS21CA0，来自Intel SSD DC S3500，Cache容量为1GiB DRAM
到了第三代主控，Intel使用了完全不同的做法：它取消了B-tree使用了一种平面1:1映射表，并完全装载入新的1GiB大容量DRAM当中，因此不再需要动态维护B-tree。因此PC29AS21CA0的随机操作延迟特别是写入延迟理论上会有很明显的降低，此外，延迟的时间不均衡性也会得到降低，Intel宣称SSD DC S3500可以提供75K/11K的4K随机读写延迟，并且提供了一致性的IO延迟——也就是说，提供一致性的IOPS，不会因为长时间的使用或者边界条件而导致很差的性能。
Intel SSD DC S3500的随机读写一致性，Intel保证提供在99.9%的情况下可以达到90%的读IOPS和75%的写入IOPS
完整的数据保护：面向数据中心
使用新的映射表架构的代价是需要针对1GiB容量的DRAM进行掉电保护，Intel的做法和此前没有什么不同，都是采用了大电容来进行保护，不过具体实现不太一样：
Intel SSD 710上的6个KEMET基美的T520系聚合钽贴片电容，规格为6V 470uF
Intel SSD DC S3500上具有两个35V 47uF的NCC（日本化工）Chemi-con KZH系列黑金刚铝电解电容
可见，不知为何，相比SSD 710，SSD DC S3500的储电能力有所下降，这样的变化一定有其原因。
除了掉电保护之外，SSD DC S3500还具有完整的端到端数据保护，包括SRAM Cache、DRAM Cache、Flash NAND等全部都具有ECC保护，并且S3500提供AES-256数据加密保护，而Intel SSD 710和Intel SSD 520都只支持AES-128。
概括
还有一些值得一提的要点是：新的控制器支持SATA 6Gb/s，提供7mm 2.5"和5mm 1.8"两种外形因子，可靠性为200万MTBF小时
