1964年：静态随机存取存储器（SRAM）
最早的SRAM可以追溯到1964年，是由当初的仙童半导体公司Fairchild研发的64位的金属氧化物半导体（MOS）静态RAM，然而在1969年，英特尔公司开发了第一个256位静态RAM，命名为1101芯片，并在1971年正式推出，1101芯片是全世界第一个大规模生产并利用的，利用硅半导体技术的MOS内存储器。
SRAM
动态随机存取内存（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。但是当停止供电后，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。
1966年：动态随机存取记忆体（DRAM）
DRAM设计图
在1966年到1967年期间，BIM公司Thomas J. Watson研究中心的Robert Dennard发命令我们今天仍然使用的DRAM，并在1968年申请了专利。
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