Rowhammer的出现也引起的厂商的关注，DRAM制造商、CPU制造商、BIOS制造商等纷纷开始在他们的存储器设备中加入了一些防范rowhammer漏洞的措施，并开始研发新型的内存设备。客观上来看，rowhammer的发现也推进了DDR4的研发和改进进程，那么DDR4就可以抵抗rowhammer了吗？
被厂商寄予厚望的DDR4能战胜rowhammer？
在过去的一段时间里，我们一直都认为是的。DDR4内存条频率明显提升，内存量更大，功耗更低的优势早已为人所知。不仅如此，其制造商也在不断宣传DDR4在安全方面的优势。
DDR4和DDR3在身材上也有所区别（图片来自网络）
三星曾宣布，在很大程度上他们的DDR4产品线是免疫rowhammer的。因为他们的产品在技术上采用了TRR，当某一区域被快速连续访问时，可以针对性的进行刷新，因而可以更好的承受大量的恶意访问。此外，镁光也赞扬了他们在DDR4产品中采用的TRR技术，似乎看来DDR4是rowhammer的克星了。
三星曾称其DDR4内存条可以抵抗rowhammer
但是现实的回应却是无情的打脸。美国的一家超级宽带和高级计算机技术提供商 “Third I/O”通过研究发现，事情恐怕并不像厂商们所说的那样简单。这些研究人员通过对企业级的DDR3 DIMM进行了测试，以每秒百万次的速度访问或者攻击内存的特定位置。确实，几乎所有的DDR3内存模块都出现了不同程度的位反转。
台湾厂商G.Skill的产品神奇存活
那么DDR4会不会更好呢？在该团队测试的十二款DDR4 DIMM产品中，有8款依然无法抵御rowhammer。在研究人员利用快速攻击对抗TRR技术时，仅有台湾厂商G.Skill的产品不受影响，其他的内存模块依然出现了位反转现象。这也就意味着，DDR4比DDR3更安全的说法并不能成立。
