从国外报道了解，由IBM研究院牵头的合作伙伴GlobalFoundries, 三星电子及纽约州立大学(SUNY)理工学院的纳米科学和工程学院(SUNY Poly CNSE)共同协作，日前宣布已经制造出半导体行业首款配置功能性晶体管的7纳米节点测试芯片。
据悉，该项突破性成果，具备了在指甲盖大小的芯片上放置200亿只晶体管的能力。而芯片能够为各种智能设备提供计算能力，小到智能手机，大到宇宙飞船。为了实现7纳米技术能够达到的更高性能、更低能耗和更强的扩展能力，由IBM研究院联盟引领的全新半导体工艺和技术需要众多的业界一流的创新技术，其中包括闻名遐迩的锗化硅(SiGe)通道晶体管和极紫外线(EUV)光刻技术。
指甲盖大小的芯片
专家认为，7纳米技术对满足未来云计算与大数据系统、认知计算、移动产品及其他新兴技术至关重要。IBM此次成果是2014年宣布的30亿美元五年芯片研发计划的一部分，同时，此项成果的达成是多方协作的结果。
微处理器晶圆
熟悉芯片技术的人都了解，如今服务器、云数据中心和移动设备采用22纳米和14纳米的微处理器技术，而10纳米技术正在迅速发展，即将成为一种成熟的技术。通过采用锗化硅(SiGe)通道材料增强了7纳米节点晶体管的性能，而结合低于30纳米间距的堆叠工艺、极远紫外线(EUV)光刻技术等创新成果，在现有最先进的纳米技术芯片基础上，将晶体管集成规模再扩展将近50%。这些技术能够将下一代大型机与Power系统的性能提高至少50%，从而促进大数据、云计算和移动时代的发展。
7纳米节点这一里程碑成就，继承了IBM硅片和半导体创新的悠久传统。这些创新包括：发明及首次应用DRAM、登纳德标度律(Dennard Scaling Laws)、化学增幅型抗蚀剂、铜互联布线、绝缘硅、张力工程、多核微处理器、浸没式光刻、高速锗化硅(SiGe)、高k栅极电介质、嵌入式DRAM、3D芯片堆栈和气隙绝缘体等。
同时，IBM和纽约州立大学理工学院达成合作关系，高达数十亿美元的奥尔巴尼纳米技术综合设施获得全球的认可，其中一项投资5亿美元的项目给了该学院的半导体研究中心(CSR)，致力于未来计算机芯片技术发展，为下一代的纳米技术科学家、研究者和工程师做好充分人才准备。
