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    作者:王迪

    首款3DTSV DDR4!三星量产服务器64GB内存

         [ 中关村在线 原创 ] 暂无评论

        全球DRAM市场规模在不断扩大,三星试图在DRAM市场上扩大竞争优势,并进而推动全球DRAM市场的增长。近日获悉,三星电子宣布正式量产首款基于3D TSV(硅通孔)封装技术的64GB DDR4 RDIMM内存。该款内存模块提供高密度、高性能技术,不仅提升企业级服务器和云计算环境下应用程序的性能,同时在数据中心解决方案的多样性上起关键作用。

    首款3DTSV DDR4!三星量产服务器64GB内存
    基于3DTSV(硅通孔)封装技术内存(来源hardwareheaven.com)

    资料了解,这款低能耗的芯片采用了三星最尖端的20nm制程技术和3D TSV封装技术,RDIMM内存由36个DDR4 DRAM芯片组成,而每片芯片又包含4颗4Gb的DDR4 DRAM裸片。此次推出的采用3D TSV封装技术的高效节能型DDR4内存模块,是三星领先主流DDR4市场的一个新品。

    首款3DTSV DDR4!三星量产服务器64GB内存 3D TSV技术

    继去年首次量产3DV-NAND闪存之后,三星3DTSV内存模块标志着存储技术史上的一个新的里程碑。之前3DV-NAND技术实现了单颗裸片上各个存储单元垂直堆叠结构,如今3D TSV封装技术则实现了多层堆叠的裸片之间的垂直互连。

    三星方面表示,未来采用3D TSV技术将DDR4裸片堆叠4层以上,制造出密度更高的内存模块。采用TSV封装技术的64GB内存模块速度最高提升一倍,而能耗也降低约一半。随着服务器市场正加速从DDR3向DDR4过渡,此举将加快高端内存市场的扩大。

    由此,自从基于3D TSV技术的40纳米8GB DRAM RDIMM和30纳米32GB DRAM RDIMM产品研发以来,三星一直在不断改善3D TSV技术,特别专为TSV封装开始运行了一套新的制造系统,用来量产新型服务器用内存模块。

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